首先要知道PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動加劇,相互間的碰撞會導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,物質(zhì)就會變成自由運(yùn)動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。
據(jù)測算,光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右,減反膜可以極高地提高電池片對太陽光的利用率,有助于提高光生電流密度,進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率,同時薄膜中的氫對于電池片表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率,減小了暗電流,提升了開路電壓,提高了光電轉(zhuǎn)換效率;在燒穿工藝中的高溫瞬時退火斷裂了一些Si-H、N-H鍵,游離出來的H進(jìn)一步加強(qiáng)了對電池的鈍化。
由于光伏級硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷,導(dǎo)致硅中少子壽命及擴(kuò)散長度降低,從而導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)換效率下降,H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng),從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。
一、PECVD原理
PECVD 系統(tǒng)是一組利用石墨舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下,等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲在硅片上的氮化硅??梢愿鶕?jù)改變硅烷對氨氣的比率,來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中,伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生,使得晶片的氫鈍化性十分良好。在真空、480攝氏度的環(huán)境溫度下,通過對石墨舟的導(dǎo)電,使硅片的表面鍍上一層SixNy。
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
二、Si3N4
Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化,一般理想的厚度是75—80nm之間,表現(xiàn)為深藍(lán)色,Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之間效果最好,通常用酒精來測其折射率。
優(yōu)良的表面鈍化效果、高效的光學(xué)減反射性能(厚度折射率匹配)、低溫工藝(有效降低成本)、生成的H離子對硅片表面鈍化.
三、鍍膜車間常見事項(xiàng)
膜厚。沉積時間的不同膜厚也是不一樣的要根據(jù)鍍膜的顏色來適當(dāng)?shù)脑黾踊驕p少它的沉積時間,片子發(fā)白要減少沉積時間,如偏紅則要適當(dāng)?shù)脑黾?。每一舟片子要全面的確認(rèn),不允許把不良品流入到下道工序,如色斑、水印鍍膜不良,應(yīng)及時挑出產(chǎn)線最常見的表面發(fā)白、色差、白點(diǎn),其中表面發(fā)白主要由于氮化硅膜較厚導(dǎo)致,可通過調(diào)節(jié)膜沉積時間來調(diào)整;色差片主要由于氣路堵塞、石英管漏氣、微波故障等導(dǎo)致;白斑主要由于前道小黑點(diǎn)導(dǎo)致。反射率、折射率等的監(jiān)測、特殊氣體的安全等。
表面發(fā)白色差片白斑
PECVD是太陽能電池片中比較重要的工序,也是體現(xiàn)一個企業(yè)太陽能電池片效率的一個重要指標(biāo),PECVD工序一般較忙,每一批電池片都需要監(jiān)測,且鍍膜爐管較多,每一管一般幾百片(視設(shè)備而定),更改工藝參數(shù)后,驗(yàn)證周期較長。鍍膜技術(shù)是整個光伏行業(yè)比較重視的技術(shù),太陽能電池的效率提升可以通過鍍膜技術(shù)的提升來實(shí)現(xiàn),太陽能電池領(lǐng)域的科學(xué)家們也樂此不疲,未來太陽能電池表面技術(shù)或許有可能成為太陽能電池理論效率的突破口。